EMLSI의 연구개발 조직은 80% 이상이 10년 이상의 경력자로서 반도체 분야 최고의 전문가로 구성되어
있습니다. 창사 이래 지속적으로 이루어진 연구개발 인력의 확충과 집중적인 R&D 투자로 저전압 동작 기술, 고밀도 실장용 패키지 기술, 고속화에 따른 노이즈 경감화 기술 등의 성과를 이루어 냈으며, 이를 바탕으로
세계 유수의 Mobile Set 업체 및 메모리 업체로부터 당사의 기술력을 인정받고 있습니다.
주요 연구분야
개발년도
비고
1M/2M/4M(1.8V, 3V, 3.3V)/8M SRAM
2001.08 ~ 2004. 03
개발완료 및 양산
16M Pseudo SRAM(1.8V)
2003.12 ~ 2004. 05
개발완료 및 양산
64M LP SDRAM(1.8V)
2004.06 ~ 2005.12
개발완료
64M LP DDR SDRAM (1.8V)
2006.09 ~
개발완료 및 양산
16M Async. PSRAM(1.8V/3.0V)
2006.09 ~
개발 중
32M Async. PSRAM(1.8V/3.0V)
2007.06 ~
개발 완료 및 양산 준비 중
64M Async. PSRAM(1.8V/3.0V)
2007.02 ~
개발 완료 및 양산 준비 중
16M Cellular RAM(1.8V)
2007.12 ~
개발 중
32M Cellular RAM(1.8V)
2007.06 ~
개발 완료 및 양산 준비 중
64M Cellular RAM(1.8V)
2007.02 ~
개발 완료 및 양산 준비 중
128M LP DDR SDRAM(1.8V)
2007.08 ~
개발 완료 및 양산 준비 중
256M LP DDR SDRAM(1.8V)
2008.01 ~
개발 중
512M LP DDR SDRAM(1.8V)
2007.02 ~
개발 완료 및 양산 준비 중
- 차세대 초저전력 회로 및 Architecturing 기법 개발
- 고속 저전력 동작을 병행하는 회로 개발
- System 환경 변동 인자 및 소자 Process 변화에 Robust한 장치 개발
- 제품의 고양산성 및 고신뢰성 확보를 위한 Testability
- 제품 경쟁력 확보를 위한 배치 및 Layout 연구
- 다품종 소량 생산에 고효율성을 갖는 설계 기법 확보
- 수탁 가공 생산에 최적화된 효율을 갖는 제품 설계 및 생산 기법 연구
- Future Memory 회로 설계 기법 개발
