EMLSI는 세계적인 경쟁력을 가진 메모리반도체 전문기업으로 명성을 쌓아 왔습니다.
이제 성공적인 제품개발을 통해 모바일기기에 특화된 메모리반도체 전문기업으로 거듭나고 있습니다.
SRAM의 Memory Cell은 Capacitor에 축적되는 전하에 의해 정보를 기억하는 DRAM과 달리 정보를 기억
하는 Flip-Flop과 2개의 Transistors로 구성되어 Refresh가 필요 없습니다.
Refresh가 필요 없는 SRAM은 대기 시에 데이터 유지전류가 적다는 장점이 있고 이러한 장점을 활용하여
저전압 전원으로 동작하고 데이터를 유지함으로써, 저소비전력이 강하게 요구되는 휴대용단말기 Memory로서 많이 활용
됩니다. 능동소자로 구성된 SRAM의 Memory Cell은 빠른 정보전달이 가능하여 공학용 워크스테이션 및
수퍼컴퓨터 등 대용량, 고성능 컴퓨터의 Cache Memory로도 사용되고 있습니다.
EMLSI 저전력 SRAM의 기술신뢰성은 주요 고객사의 필드테스트에서 이미 검증되었으며, 현재는 1M~8M Low Power SRAM 전 제품에 대한 Line-up을 갖추고 양산 공급하고 있습니다.
EMLSI의 Low Power SRAM은 Full CMOS Process Technology를 채택하여 저전압동작과 저소비전류
성능이 탁월합니다. 그리고 BGA(Ball Grid Array) 패키지 방식을 사용하여 데이터 이동경로가 짧아 저전력
소모 및 고속동작 제품에 유리하고 경박단소 요구에 적합합니다.
<EMLSI의 Low Power SRAM 주요 사양>
- Process : EMLSI SRAM Process (0.18um/0.15um)
- Density : 1M , 2M, 4M, 8M
- Power Supply(Vcc) : 2.7~3.3V
- Temperature : -40~85℃
- Cycle time : 55ns / 70ns
- Power Dissipation : Operation 20mA@70ns cycle, Standby 5uA(max.), 1uA(typ.)
- Functions : x8, x16 By Bonding Option, Dual CS & Single CS
- Package : 48 Pin FBGA / Wafer
